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AM005WN-BI-G-R/AM005WN-BI-R分立射頻晶體管代理現(xiàn)貨

發(fā)布時間：2019-02-20 14:32:24 瀏覽：1766

說明

AMCOM的AM005WN-BI-R是一個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5毫米。它是一個陶瓷封裝，最高工作12千兆赫。Bi系列采用特殊設(shè)計的陶瓷封裝，帶有彎曲（Bi-G）或直（Bi）引線，采用嵌入式安裝方式。包底部的法蘭同時用作直流接地、射頻接地和熱通道。本部分符合RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝

有效排熱的底層

應(yīng)用
高動態(tài)接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事

干擾機

示意圖

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