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CGHV96050F2碳化硅高電子遷移率晶體管代理現(xiàn)貨

發(fā)布時(shí)間：2019-02-22 10:22:17 瀏覽：1826

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50歐姆，輸入/輸出匹配GaN HEMT

Wolfspeed的CGHV96050F2是碳化硅（SiC）基板上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與其他技術(shù)相比，這種GaN內(nèi)部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優(yōu)異的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的導(dǎo)熱率。與GaAs晶體管相比，GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該IM FET采用金屬/陶瓷法蘭封裝，具有最佳的電氣和熱性能。

品牌	型號(hào)	貨期	庫存
CREE	CGHV96050F2	1周	300

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特征

80 W POUT典型值

峰值輸出功率		50W
應(yīng)用		L波段/ S波段/ X波段/ C波段/ Ku波段
典型的功率附加效率PAE		55％
典型功率（PSAT）		80瓦
功率增益		10分貝
工作電壓		40 V
頻率		7.9 - 9.6 GHz
包裝類型		輪緣
內(nèi)部匹配		是 - 50Ω

示意圖

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