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摩爾定律遇阻，集成電路開展分化。現(xiàn)在集成電路的開展主要有兩個反向：More Moore （深度摩爾）和More than Moore （逾越摩爾）。摩爾定律是指集成電路大約18個月的時間里，在同樣的面積上，晶體管數(shù)量會增加一倍，可是價格下降一半。可是在28nm時遇到了阻止，其晶體管數(shù)量雖然增加一倍，可是價格沒有下降一半。More Moore（深度摩爾）是指繼續(xù)進步制程節(jié)點技能，進入后摩爾時期。與此同時，More than Moore（逾越摩爾）被人們提出，此計劃以完成更多使用為導向，專注于在單片IC上加入越來越多的功用。

模仿IC更適合在More than Moore（逾越摩爾）道路。先進制程與高集成度能夠使數(shù)字IC具有更好的功能和更低的成本，可是這不適用于模仿IC。射頻電路等模仿電路往往需求運用大尺寸電感，先進制程的集成度影響并不大，同時還會使得成本升高；先進制程往往用于低功耗環(huán)境，可是射頻、電源等模仿IC會用于高頻、高功耗范疇，先進制程對功能甚至有負面影響；低電源和電壓下模仿電路的線性度也難以保證。PA最好的技能是GaAs，而開關(guān)最好的技能是SOI，More than Moore（逾越摩爾）能夠完成運用不同技能和工藝的組合，為模仿IC的進一步開展供給了道路。

第三代半導體適應更多使用場景。硅基半導體具有耐高溫、抗輻射功能好、制作方便、穩(wěn)定性好。牢靠度高等特點，使得99%以上集成電路都是以硅為資料制作的。可是硅基半導體不適合在高頻、高功率范疇運用。2G、3G 和 4G等年代PA最好的資料是 GaAs，可是進入5G年代今后，最好的資料是GaN。5G的頻率較高，其跳躍式的反射特性使其傳輸間隔較短。因為毫米波關(guān)于功率的要求非常高，而GaN具有體積小功率大的特性，是現(xiàn)在最適合5G年代的PA資料。SiC和GaN等第三代半導體將更能適應未來的使用需求。

模仿IC關(guān)注電壓電流操控、失真率、功耗、牢靠性和穩(wěn)定性，規(guī)劃者需求考慮各種元器材對模仿電路功能的影響，規(guī)劃難度較高。數(shù)字電路尋求運算速度與成本，多選用CMOS工藝，多年來一向沿著摩爾定律開展，不斷選用地更高功率的算法來處理數(shù)字信號，或許使用新工藝進步集成度降低成本。而過高的工藝節(jié)點技能往往不利于完成模仿IC完成低失真和高信噪比或許輸出高電壓或許大電流來驅(qū)動其他元件的要求，因此模仿IC對節(jié)點演進需求相對較低遠大于數(shù)字IC。模仿芯片的生命周期也較長，一般長達10年及以上。

現(xiàn)在數(shù)字IC多選用CMOS工藝，而模仿IC選用的工藝種類較多，不受摩爾定律捆綁。模仿IC的制作工藝有Bipolar工藝、CMOS工藝和BiCMOS工藝。在高頻范疇，SiGe工藝、GaAs工藝和SOI工藝還能夠與Bipolar和BiCMOS工藝結(jié)合，完成更優(yōu)異的功能。而在功率范疇，SOI工藝和BCD（BiCMOS基礎(chǔ)上集成DMOS等功率器材）工藝也有更好的體現(xiàn)。模仿IC使用廣泛，運用環(huán)節(jié)也各不相同，因此制作工藝也會相應改變。

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