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AMCOM的GaN MMIC 放大器具有哪些優(yōu)勢?

發(fā)布時(shí)間:2020-07-22 14:22:50     瀏覽:1859

AMCOM美國半導(dǎo)體公司中具有全世界技術(shù)領(lǐng)先的微波設(shè)計(jì)公司,AMCOMGaN寬禁帶半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等好處,可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣前提的新要求。從工程角度來看,GaN具有的4個(gè)優(yōu)勢

· 寬禁帶半導(dǎo)體具有杰出的dV/dt切換性能,這意味著開關(guān)消耗很小。這使得高開關(guān)頻率(GaN1 MHz以上)成為可能,后果有助于減小磁體體積,同時(shí)提升功率密度。

· 電感值、尺寸和分量能削減70%以上,同時(shí)還能削減電容數(shù)量,使很終轉(zhuǎn)換器的尺寸和分量僅相當(dāng)于古代轉(zhuǎn)換器的五分之一。

· 無源元件和機(jī)械部件(包含散熱器)的用量可節(jié)減大概40%,增值片面則表現(xiàn)在控制電子IC上。

· 寬禁帶半導(dǎo)體對(duì)高結(jié)溫具有超高的耐受性,這種耐受性有助于提升功率密度,削減散熱問題。

AMCOM.jpg

伴隨著AMCOMGaN生產(chǎn)工藝在不斷進(jìn)步,在GaN-on-Si外表片上生產(chǎn)的GaN器件具有相當(dāng)?shù)偷睦媳荆仍?/span>SiC晶片上生產(chǎn)任何產(chǎn)品都更為容易。由于這些緣故,GaN晶體管可能會(huì)成為2020年代后期逆變器中的首選,優(yōu)于較昂貴的SiC MOSFET

深圳市立維創(chuàng)展科技AMCOM功率放大器的代理銷售,主要提供AMCOM的功率放大器,射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RFDC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器,功率放大器,開關(guān),衰減器,移相器以及上/下邊變頻器的定制等,原裝進(jìn)口,質(zhì)量保證,價(jià)格優(yōu)勢,歡迎咨詢。

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或聯(lián)系我們的銷售工程師:0755-83642657   QQ: 1369964087

模型

最低頻率(GHz

最大頻率(GHz

增益(dB

輸出功率(dBm

Eff(%)

AM003042WN-XX-R

0.05

3

23

42

33

Flange / SMT

AM003042WN-00-R

0.05

3

24

42

35

Bare Die

AM206041WN-SN-R

1.8

6.5

30

41

23

Flange

AM206041WN-00-R

1.8

6.5

32

42

27

Bare Die

AM408041WN-SN-R

3.75

8.25

31

41

23

Flange

AM408041WN-00-R

3.75

8.25

33

42

27

Bare Die

AM00010037WN-SN-R

DC

10

13

37

23

Flange

AM00010037WN-00-R

DC

10

13

37

25

Bare Die

AM08012041WN-SN-R

7.5

12

21

41

20

Flange

AM08012041WN-00-R

7.5

12

22

42

20

Bare Die

AM07512041WN-SN-R

7.75

12.25

27

41

22

Flange

AM07512041WN-00-R

7.75

12.25

28

42

27

Bare Die


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