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20世紀60年代，功率晶體管的工作頻率擴展到微波領域。同時，微波集成電路開始進入實驗階段，產生了微波SSPA固態功率放大器。然而，微波固態功率放大器的優異性能應該歸功于GaAs場效應晶體管（GaAsFET）的出現。由場效應晶體管（FET）構成的低噪聲放大器（LNA）不僅是低噪聲技術的主導器件，而且由FET構成的固態功率放大器（SSPA）的工作原理已成為微波領域的關鍵放大器。隨著時間的推移，場效應晶體管的技術越來越完善，頻率范圍越來越寬，輸出功率越來越大，特別是大功率匹配場效應晶體管在3.7~8.5ghz的頻率范圍內可輸出20W功率，在9~15GHz的頻率范圍內可輸出10W功率，在1W的頻率范圍內可輸出10W功率功率范圍為21ghz。如果采用微波功率合成技術，在Ku波段可以獲得幾十瓦的功率。隨著功率和種類的增加，微波固態功率放大器得到了廣泛的應用。

SSPA固態功率放大器的應用是從衛星通信的需求出發的。衛星通信具有多址連接和強大的分布能力。它能滿足地理間隔，覆蓋范圍廣，對流量和網絡結構的變化具有靈活性。近年來，它得到了很大的發展。在一定程度上，在衛星通信地球站的上行鏈路中，除了使用衛星轉發器外，還采用固態功率放大器作為前置放大器，驅動數百瓦的TWTA或1kW和3KW速調管功率放大器。近年來，隨著甚小孔徑終端（VSAT）衛星系統的快速發展，對固態功率放大器的需求越來越廣泛和嚴格。為了滿足VSAT系統的需要，固態功率放大器需要10～20W的輸出功率。

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