久久r久久,亚洲精品久久久,一区二区三区中文字幕

L 頻段RF分立式GaN晶體管 QPD1025航空電子射頻晶體管 Qorvo現貨出售

發布時間：2018-07-18 11:29:24 瀏覽：2455

Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W（P3dB）分立GaN晶體管，L 頻段1800W雙通道射頻晶體管，工作頻率范圍為1.0至1.1 GHz。封裝內的輸入預匹配使外部電路板易于匹配并節省電路板空間。該器件采用行業標準氣腔封裝，非常適用于IFF，航空電子設備和測試儀器。該器件可以支持CW和脈沖操作。

無鉛和符合ROHS標準。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
Qorvo	QPD1025	1800瓦，65伏，1.0 - 1.1 GHz，GaN RF輸入匹配晶體管	現貨	199

典型應用

IFF轉發器
航空電子學

主要特征

頻率范圍：1.0到1.1 GHz
輸出功率（P 3dB 1）：1862瓦特
線性增益：22.5 dB
典型PAE 3dB 1：77.2％
工作電壓：65 V.
CW和Pulse能力

注1：@ 1.0GHz負載牽引

主要參數

頻率最小值（MHz）	1000
頻率最大值（MHz）	1100
增益（dB）	22.5
Psat （dBm）	62.7
PAE （％）	77.2
VD （V）	65
Idq （mA）	1500
包裝類型	NI-1230（無耳）

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: 39GHz相控陣5G基站QPF4006氮化鎵MMIC前端模塊低噪聲高線性度LNA 現貨出售

日韩国产一区二区_91成人_一区在线免费_综合色成人_亚洲日本一区二区三区四区_亚洲成人二区

典型應用

主要特征