伊人av超碰久久久麻豆,国产欧美精品一区二区色综合,日本在线播放

HMC637BPM5E砷化鎵級聯分布式功率放大器 ADI現貨代理商

發布時間：2018-06-05 15:50:41 瀏覽：2623

HMC637BPM5E是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、級聯分布式功率放大器，在正常工作時可實現自偏置且具有IDQ可選偏置控制和增益調整。該放大器的工作頻率范圍為DC至6 GHz，提供15 dB小信號增益、27.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮）、40 dBm典型輸出IP3和4 dB噪聲指數，采用VDD 12 V電源電壓時功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍內的增益平坦度（典型值±0.5 dB時）非常出色，因而極為適合軍事、太空和測試設備應用。HMC637BPM5E還具有內部匹配至50 Ω的輸入/輸出(I/O)，采用符合RoHS標準的5 mm × 5 mm LFCSP預制空腔封裝，可與高容量表貼技術(SMT)裝配設備兼容。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC637BPM5E	GaAs、pHEMT、MMIC、單正電源、DC至6 GHz、1 W功率放大器	現貨	28

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

軍事與太空
測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
增益：15 dB（典型值）
輸出IP3：40 dBm（典型值）
在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
50 Ω匹配輸入/輸出
32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: AH118-89G表面貼裝封裝的高動態范圍驅動器放大器 Qorvo現貨代理出售

<nav id="uyqoo"></nav><rt id="uyqoo"><delect id="uyqoo"></delect></rt>

日韩国产一区二区_91成人_一区在线免费_综合色成人_亚洲日本一区二区三区四区_亚洲成人二区