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CGHV1J025D C波段25-W; 18.0GHz;GaN HEMT 芯片CREE

發布時間:2022-09-14 16:44:37     瀏覽:1439

WolfspeedCGHV1J025D是高電壓;氮化鎵在碳化硅襯底上(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT)CGHV1J025D采用0.25-μm柵極尺寸的制作工藝。這種GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率;高效率的特性。CGHV1J025D特別適合在40V在高擊穿場強下作業10MHz18GHz各種應用。

CGHV1J025D.png

特征

17dB典型。10GHz時的小信號增益值

60%典型值。10GHz時的PAE

25W典型PSAT

40伏操控

高達18GHz的操控

應用

衛星通訊

PTP通訊鏈接

海域雷達

游艇雷達

海港船舶交通服務

寬帶放大器

高效率放大器

CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊:http://www.ckk6s.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J025D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

25 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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