亚洲九九,中文字幕一区在线,大香一网

?CG2H80120D C波段GaN HEMT 芯片CREE

發(fā)布時間：2022-11-16 16:53:01 瀏覽：904

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備更優(yōu)越的性能；CG2H80120D包含更高擊穿場強；更高飽和電子漂移速率；和更高熱導率。與Si和GaAs晶體管相比較，CG2H80120D具備更高功率密度和更寬的帶寬。

特征

120W經(jīng)典PSAT

28伏操控

高擊穿場強

高溫度操控

高至8GHz的操控

高效率

應用

2路專用無線通信

寬帶放大器

蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

測試設(shè)備

ClassA;AB；主要用于OFDM的線性放大器；無線頻分多址；邊緣;CDMA波形

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品，CREE科銳是一個完整的設(shè)計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機器設(shè)備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，并長期庫存現(xiàn)貨，以備中國市場需求。

詳情了解CREE射頻微波請點擊：http://www.ckk6s.cn/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CG2H80120D-GP4	GaN on SiC	DC	8 GHz	120 W	>12 dB	65%	28 V	Discrete Bare Die	Die

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CHA3395-QDG中功率放大器UMS

日韩国产一区二区_91成人_一区在线免费_综合色成人_亚洲日本一区二区三区四区_亚洲成人二区