?CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE
發(fā)布時(shí)間:2024-01-18 16:53:30 瀏覽:1065
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更加優(yōu)異的性能;包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng);更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式,能夠?qū)崿F(xiàn)最好電力設(shè)備和熱穩(wěn)定性。
特征
7.9–8.4GHz工作
80WPOUT(典型值)
>13dB功率增益值
33%典型線性PAE
50Ω內(nèi)部搭配
<0.1dB功率降低
應(yīng)用領(lǐng)域
衛(wèi)星通訊
地面寬帶
產(chǎn)品規(guī)格
描述:50瓦;7.9-9.6GHz;50Ω;輸入/輸出搭配GaNHEMT
最低頻率(MHz):7900
最高頻率(MHz):8400
最高值輸出功率(W):50
增益值(dB):13.0
效率(%):33
額定電壓(V):40
形式:封裝形式分立晶體管
封裝形式類別:法蘭盤
技術(shù)應(yīng)用:GaN-on-SiC
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