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?CMPA1C1D060 Ku波段衛星通信功率放大器CREE

發布時間：2024-01-23 17:21:57 瀏覽：851

CMPA1C1D060D是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；CMPA1C1D060D應用0.25 μm柵極尺寸制作工藝。與硅相比較，GaN-on-SiC具有更加優異的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。

CREE (15).png

特征

具備 26 dB 小信號增益值

60 W 典型 PSAT

額定電壓高至 40 V

高擊穿場強

高溫度操控

應用領域

PTP 無線通信

衛星通訊上行鏈路

產品規格

描述：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 功率放大器

最低頻率(MHz)：12700

最高頻率(MHz)：13250

最高值輸出功率(W)：65

增益值(dB)：26.0

效率（％）：30

額定電壓(V)：40

模式：MMIC 裸片

封裝類別：Die

技術應用：GaN-on-SiC

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