CGH35060P2晶體管CREE
發(fā)布時間:2024-08-27 09:21:16 瀏覽:695
CREE CGH35060P2是一款專為高效率設(shè)計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬帶寬能力,特別適合在3.1至3.5 GHz的S波段進(jìn)行脈沖放大器應(yīng)用。它采用了陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝,確保了其在特定應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。
主要特征:
操作頻率范圍:3.3至3.6 GHz
峰值功率能力:60W
小信號增益:12 dB
在8瓦輸出時的誤差向量幅度(EVM):< 2.0%
在8瓦輸出時的排水效率:25%
應(yīng)用:WiMAX固定接入(802.16-2004 OFDM)和WiMAX移動接入(802.16e OFDMA)
技術(shù)規(guī)格:
零件編號:CGH35060P2
描述:60瓦,3100至3500兆赫,28V氮化鎵HEMT
最小頻率:3100 MHz
最大頻率:3500 MHz
峰值輸出功率:60W
增益:12.0 dB
效率:60%
工作電壓:28V
封裝形式:分立晶體管,法蘭、丸
技術(shù):GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)
CGH35060P2晶體管因其高效率和適用于高頻操作的特性,在無線通信和雷達(dá)系統(tǒng)等高性能應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其氮化鎵技術(shù)提供了優(yōu)于傳統(tǒng)硅基晶體管的性能,特別是在高溫和高壓環(huán)境下。
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商,擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道,并長期庫存現(xiàn)貨,以備中國市場需求。
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