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MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一種寬帶晶體管芯片，針對DC-3.5 GHz工作進行了優(yōu)化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150非常適用于國防通信，陸地移動無線電，航空電子設(shè)備，無線基礎(chǔ)設(shè)施，ISM應(yīng)用和VHF / UHF / L / S波段雷達。采用SIGANTIC®工藝制造 - 一種專有的GaN-on-Silicon技術(shù)。

特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應(yīng)用
 活動區(qū)周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應(yīng)用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應(yīng)用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎(chǔ)設(shè)施

產(chǎn)品規(guī)格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全球唯一一家用于射頻應(yīng)用的GaN on Si技術(shù)供應(yīng)商。我們在Si RF功率晶體管產(chǎn)品上提供廣泛的連續(xù)波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設(shè)計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，長脈沖雷達以及工業(yè)，科學和醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN on Si技術(shù)提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產(chǎn)品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現(xiàn)出優(yōu)異的RF性能，