900 V分立碳化硅MOSFET CREE
發布時間:2024-12-17 11:21:28 瀏覽:418
CREE擴展了其在碳化硅(SiC)技術中的主導地位,低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離(~8mm)。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運用最新的MOSFET芯片高頻性能,并且提供應用于高污染環境的超額電氣隔離。獨立的開爾文源管腳減少了功率電感;從而開關損耗減少了30%。設計師可以借助從硅基轉向硅基來降低器件數量;通過增加開關性能,可以通過三電平拓撲轉換成更高效的兩電平拓撲。
特征
在整體工作溫度范圍內,最低電壓是900V Vbr
帶驅動源的低阻抗封裝
高阻斷電壓,低RDS(開啟)
低反向恢復(Qrr)的高效本征二極管
有利于并聯,使用簡單
優勢
通過減少開關和傳遞損耗提升系統效率
實現高開關頻率操控
提高系統級功率密度
降低系統規模;凈重;和冷卻需求
啟動新的硬開關拓撲(Totem Pole PFC)
典型應用
電機控制系統
新能源充電樁系統
應急電源(UPS)
電池測試系統
新能源電動車極速充電系統
車載充電器
傳動裝置
焊接工藝
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Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package |
C3M0065090D | 900 V | 65 mΩ | 36 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0280090D | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0030090K | 900 V | 30 mΩ | 63 A | 150 °C | TO-247-4 |
C3M0065090J | 900 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0120090J | 900 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0280090J | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-263-7 |
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