?第三代650 V裸片SiC MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2025-01-03 16:57:39 瀏覽:375
行業(yè)內(nèi)超一流導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗,能夠?qū)崿F(xiàn)最佳性能和功率密度參數(shù)。
Wolfspeed根據(jù)第三代650 V SiC MOSFET增加了其碳化硅(SiC)技術(shù)上的主導(dǎo)地位。在更全面的電力系統(tǒng)中滿足體型更小、重量更輕、更高效的電力轉(zhuǎn)化。650 V SiC MOSFET是性能卓越工業(yè)電源、服務(wù)器/電信網(wǎng)絡(luò)電源、新能源電動(dòng)車(EV)充電裝置、儲(chǔ)能設(shè)備、應(yīng)急電源(UPS)和電池管理系統(tǒng)等功能的最佳選擇。
特征
低溫環(huán)境的低導(dǎo)通電阻
低寄生電容
具備極低反向恢復(fù)的高效二極管
持續(xù)高溫操控(Tj=175°C)
優(yōu)勢(shì)
通過(guò)調(diào)整開(kāi)關(guān)和傳輸損耗提高設(shè)備效率
實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率操控
提高系統(tǒng)級(jí)功率密度參數(shù)
降低裝置規(guī)格;重量;和冷卻要求
典型應(yīng)用
工業(yè)電源
服務(wù)器/電信網(wǎng)絡(luò)
新能源充電樁裝置
儲(chǔ)能設(shè)備(ESS)
應(yīng)急電源(UPS)
電池管理系統(tǒng)(BMS)
CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商,擁有CREE微波器件優(yōu)勢(shì)供貨渠道,信用保證原裝正品。
*部分型號(hào)需申請(qǐng)美國(guó)出口許可。詳情了解更多型號(hào),歡迎咨詢立維創(chuàng)展!
Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Gate Charge Total | Output Capacitance | Reverse Recovery Charge (Qrr) | Reverse Recovery Time (Trr) | Tjmax | Generation |
CPM3-0650-0015A | 650 V | 15 mΩ | 120 A | 190 nC | 290 pF | 510 nC | 22 ns | 175 °C | Gen 3 |
CPM3-0650-0045A | 650 V | 45 mΩ | 49 A | 63 nC | 100 pF | 247 nC | 13 ns | 175 °C | Gen 3 |
CPM3-0650-0060A | 650 V | 60 mΩ | 37 A | 46 nC | 80 pF | 151 nC | 11 ns | 175 °C | Gen 3 |
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AAT-15-479/1S 是美國(guó) PULSAR Microwave 公司推出的高性能電壓控制衰減器,專為微波電路精確幅度調(diào)節(jié)設(shè)計(jì),具備 0.5 - 2 GHz 頻率范圍、64 分貝衰減范圍、低插入損耗(最大 3.5 dB)及高功率處理能力(高達(dá) +27 dBm)等特性,采用 SMA 連接器,工作溫度范圍 -25℃至 +80℃,在通信、測(cè)試測(cè)量、雷達(dá)系統(tǒng)中可用于精確調(diào)控信號(hào)強(qiáng)度、適配量程、避免接收機(jī)過(guò)載及增強(qiáng)回波檢測(cè)能力。