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ADRF5160是Analog Devices Inc.（ADI）推出的一款高性能硅基0.7 GHz至4.0 GHz單刀雙擲（SPDT）反射開(kāi)關(guān)，采用無(wú)引腳、表面貼裝的封裝形式。ADRF5160專為高功率應(yīng)用和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施，如長(zhǎng)期演進(jìn)（LTE）基站等設(shè)計(jì)。ADRF5160具備出色的高功率處理能力，其長(zhǎng)期（>10年）平均典型值在8 dB峰均比LTE條件下可達(dá)41 dBm，同時(shí)在2.0 GHz以下的典型插入損耗僅為0.7 dB。此外，ADRF5160的輸入三階截點(diǎn)（IP3）典型值為70 dBm，0.1 dB壓縮點(diǎn)（P0.1dB）典型值為47 dBm。

ADRF5160的片上電路在5 V單正電源電壓下運(yùn)行，典型電源電流僅為1.1 mA，是PIN二極管開(kāi)關(guān)的理想替代方案。ADRF5160的封裝符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，采用緊湊的32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP設(shè)計(jì)。

特性概述：

反射式設(shè)計(jì)，50 Ω阻抗匹配

低插入損耗：在2.0 GHz以下，典型值為0.7 dB

高功率處理能力，在TCASE = 105°C條件下表現(xiàn)優(yōu)異

長(zhǎng)期（>10年）平均功率表現(xiàn)：

連續(xù)波功率：43 dBm

峰值功率：49 dBm

LTE平均功率（8 dB峰均比）：41 dBm

單次事件（<10秒）平均LTE功率（8 dB峰均比）：44 dBm

高線性度表現(xiàn)：

P0.1dB典型值：47 dBm

IP3典型值：70 dBm

靜電放電（ESD）保護(hù)等級(jí)高：

人體模型（HBM）：4 kV，3A級(jí)

帶電設(shè)備模型（CDM）：1.25 kV

單正電源電壓：5 V

正控制信號(hào)，兼容CMOS/TTL電平

緊湊的32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

應(yīng)用領(lǐng)域：

無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備

軍事及高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景

測(cè)試測(cè)量設(shè)備

作為PIN二極管開(kāi)關(guān)的替代方案

深圳市立維創(chuàng)展科技是ADI的分銷商，主要提供放大器、線性產(chǎn)品、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、音視頻產(chǎn)品、寬帶產(chǎn)品、時(shí)鐘和定時(shí)IC、光纖通信產(chǎn)品、接口和間隔、MEMS和傳感器、電源和熱經(jīng)管、處理器和DSP、射頻和圖形處理器、開(kāi)關(guān)和分配器等，產(chǎn)品原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，歡迎咨詢。