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L波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管高電壓高功率和寬帶應(yīng)用AM010MH2-BI-R

發(fā)布時(shí)間：2018-11-05 15:17:07 瀏覽：1815

描述
AMCOM的AM010MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系列的一部分。HIFET是部分匹配的專(zhuān)利設(shè)備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應(yīng)用。該器件的總器件外圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功率微波應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，工作頻率高達(dá)6GHz。BI系列采用一種特殊設(shè)計(jì)的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。這個(gè)封裝底部的法蘭同時(shí)作為直流接地、射頻接地和熱路。這個(gè)HiFET是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的。

品牌	型號(hào)	貨期	庫(kù)存
AMCOM	AM010MH2-BI-R	1周	100

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特征
14伏排水拜厄斯
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達(dá)6 GHz的高頻操作
高增益：g= 15dB @ 3.5GHz
高功率：P1dB＝28 dBm @ 3.5GHz
高線性度：IP3＝43dBm @ 3.5GHz

用于有效散熱的陶瓷封裝

應(yīng)用
寬帶應(yīng)用
高電壓10～14V
無(wú)線本地環(huán)路網(wǎng)絡(luò)
個(gè)人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網(wǎng)
C波段VSAT
航空電子通信

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