Qorvo的RFGA0024是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0024的內部有源偏置電路允許放大器直接從5V電源工作,并提供穩定的電流隨溫度變化并處理Beta變化。這款達林頓放大器的內部匹配電阻為50歐姆,非常適合需要小尺寸和最少外部元件的應用。
Qorvo的RFGA0014是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0014的內部有源偏置電路允許放大器直接從5V電源工作,并提供穩定的電流隨溫度變化并處理Beta變化。這款達林頓放大器的內部匹配電阻為50歐姆,非常適合需要小尺寸和最少外部元件的應用。
Qorvo的RF5633是專為最終或驅動器級應用設計的線性功率放大器IC。該器件采用帶有背面接地的無引線芯片載體。RF5633設計用于在廣泛的溫度和功率輸出范圍內保持線性。外部匹配為多個頻段的輸出功率提供可調性。
Qorvo的RF5623是專為中等功率應用設計的線性功率放大器IC。該器件采用先進的InGaP異質結雙極晶體管(HBT)工藝制造,設計用作802.16e發射器的最終射頻放大器。
Qorvo的RF3827是一款通用,低成本,高線性度的RF放大器IC。該器件采用砷化鎵工藝制造,采用3mm x 3mm,16引腳QFN封裝。它非常適合用作線性/低噪聲放大器,其中OIP3等于38dBm,噪聲系數小于1.5dB。
Qorvo的RF3315是一款高效率砷化鎵異質結雙極晶體管(HBT)放大器,采用低成本表面貼裝封裝。該放大器非常適用于需要200MHz至3GHz頻率范圍內的高線性度和低噪聲系數的應用。
Qorvo的RF3223是一款采用低成本表面貼裝封裝的高效GaAs異質結雙極晶體管(HBT)放大器。該放大器非常適用于需要500MHz至3GHz頻率范圍內的高線性度和低噪聲系數的應用。RF3223采用單5V電源供電,采用經濟的3mm x 3mm QFN封裝。
Qorvo的RF3220是一款高效率砷化鎵異質結雙極晶體管(HBT)放大器,采用低成本表面貼裝封裝。該放大器非常適用于需要500MHz至3GHz頻率范圍內的高線性度和低噪聲系數的應用。RF3220采用單5V電源供電,采用經濟的3mm x 3mm QFN封裝。
Qorvo的RF2162是針對3V手持系統的高功率高效率線性放大器IC。該器件采用先進的砷化鎵異質結雙極晶體管(HBT)工藝制造,設計用作雙模式3V CDMA / AMPS手持數字蜂窩設備擴頻系統和其他應用中的最終RF放大器。 800MHz至960MHz頻段。
Qorvo QPM1000是一款集成式限幅器/ LNA,可在2-20GHz頻率范圍內提供穩健,高性能。QPM1000在增益控制下提供17 dB的小信號增益,在整個頻率范圍內具有1.7 - 4 dB的噪聲系數,> 18 dBm P1dB。此外,集成限幅器提供高達4 W的入射功率的穩健性水平,而不會降低性能。
AMCOM成立于1996年12月,由一群在微波電路設計和微波器件制造技術方面經驗豐富的微波設計師組成。它位于美國馬里蘭州蓋瑟斯堡,距華盛頓西北約20英里。該公司作為領先的微波設計組織享有盛譽,該組織包括功率FET,MMIC功率放大器以及帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊,這些模塊已準備好用于微波系統。
AMCOM的AM072249WM是寬帶GaAs MMIC功率放大器。它有一個30dB小信號增益和39 dBm(8W)飽和輸出的額定CW性能功率超過0.7至2.2GHz頻段。MMIC在兩個芯片(-00—R)中提供。包(-SN-R)表單。AM072249WM SN-R是陶瓷封裝中的一種。法蘭和直RF和DC導致裝配下降
HMC609LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為2至4 GHz。 HMC609LC4在整個工作頻段內具有出色的平坦性能特性,包括20 dB小信號增益、3.5 dB噪聲系數和+36.5 dBm輸出IP3。
HMC-APH403是一款三級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為37至45 GHz。 HMC-APH403提供21 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+23 dBm輸出功率(1 dB壓縮)。
HMC635LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驅動放大器裸片,工作頻率范圍為18至40 GHz。 該放大器提供18.5 dB的增益、+27 dBm輸出IP3及+22 dBm的輸出功率(1 dB增益壓縮時),功耗為280 mA(+5V電源)。
HMC441LM1是一款寬帶7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 該放大器提供15 dB增益,飽和功率為21.5 dBm(27% PAE時),電源電壓為+5V。
HMC442LM1是一款寬帶17.5至24 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 LM1采用真正的表貼寬帶毫米波封裝,提供低損耗和出色的I/O匹配,并保持MMIC芯片性能。
THMC-ABH209是一款高動態范圍、兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+16 dBm
HMC-AUH320是一款高動態范圍的四級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的頻率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz頻率下提供16 dB的增益,在1 dB壓縮點
HMC-APH196是一款兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V電源電壓時具有+22
THMC-ABH241是一款四級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V電源電壓時具有+17 dBm輸出功率(
HMC608LC4是一款高動態范圍GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器,采用無引腳“無鉛”SMT封裝。該放大器提供兩種工作模式:高增益模式(Vpd引腳短接至地);和低增益模式(Vpd引腳保持開
HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驅動放大器裸片,工作頻率范圍為18至40 GHz。 該放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm輸出IP3及+23 dBm的輸出功率(1 dB增益壓
HMC-AUH318是一款高動態范圍的三級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至76 GHz的頻率下工作。 HMCAUH318提供24 dB的增益,在1 dB壓縮點提供+17.5 dBm
HMC-AUH317是一款高動態范圍的三級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在81至86 GHz的頻率下工作。 HMCAUH317提供22 dB的增益,在1 dB壓縮點提供+17.5 dBm
HMC-AUH249是一款GaAs MMIC HEMT分布式驅動放大器裸片,在DC至43 GHz的頻率下工作,典型3 dB帶寬為35 GHz。 該放大器提供15 dB增益,飽和輸出功率為+23 dBm
HMC-APH634是一款兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為81至86 GHz。 HMC-APH634提供12 dB增益,采用+4V電源時具有+20 dBm輸出功率(1 d
HMC-APH633是一款兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作頻率范圍為71至76 GHz。 HMC-APH633提供13 dB增益,采用+4V電源電壓時具有+20 dBm輸出功率(1
HMC441LH5是一款寬帶7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用密封型SMT無引腳封裝。 該放大器提供15 dB增益,飽和功率為21.5 dBm(25% PAE時)
HMC465是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驅動放大器裸片,在DC到20 GHz的頻率范圍內工作。 該放大器提供17 dB增益、2.5 dB噪聲系數,飽和輸出功率為+24 dBm,采用+8V