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?AM242534PA-P2功率放大器模塊AMCOM

2023-03-28 16:48:43

AMCOM的AM242534PA-P2是款功率放大器模塊。為通用型技術應用而設計。AM242534PA-P2的頻率范圍為2400MHz至2500MHz。AM242534PA-P2應用+12V開關電源作業，通過使用SMA連接器實現輸入輸出。

?MegaPhase射頻定向耦合器

2023-03-28 16:45:00

MegaPhase?射頻定向耦合器具備多方面耦合電路值和頻帶寬度以滿足更多技術應用和系統需求。射頻定向耦合器設計用作最良性的實驗環境，能夠滿足軍工用L波段和空間系統的嚴格管理。

?4 路高功率合路器PULSAR

2023-03-28 16:43:18

PULSAR?的高功率4路合路器包含5MHz至2.2GHz，解決25至400w的組合功率。4路高功率合成器無條件支持合成非相關信號。致力于50Ω控制系統設計，SMA或N母連接器是標準配備。

?CHA5005-QDG驅動放大器UMS

2023-03-28 16:41:15

UMS? CHA5005-QDG是種單片單級驅動放大器，在1dB增益值降低下形成26.5dBm的輸出功率，與33%功率提升效率相應。

?CGH60120D L波段放大器CREE

2023-03-27 16:37:43

Wolfspeed?的CGH60120D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，CGH60120D具備更優越使用性能；以及更高擊穿場強；更高飽和電子偏移速率；和更高傳熱性。

?ADI帶通可調諧濾波器

2023-03-27 16:35:59

ADI?帶通可調諧濾波器需用最少的外部器件，同時提供應用“設置后不管”頻率和帶寬設置參數靈活性，有利于簡單的設計。ADI帶通可調諧濾波器具備可編程偏置電壓設置以提升應用的性能和功率平衡，而內嵌濾波器旁通選項（如果適用）兼容寬帶寬范圍。

?CHA2368-98F低噪聲放大器UMS

2023-03-24 16:38:30

UMS? CHA2368-98F是款四級單片低噪聲放大器，在50-71GHz頻率段內具備21dB線性增益值和3.5dB相位噪聲。CHA2368-98F包括對各個RF瀏覽和DC焊層的ESD保護。

CGHV40100 L波段放大器CREE

2023-03-24 16:36:20

Wolfspeed的CGHV40100?是前所未有的；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV40100；選用50伏電流電壓軌工作；提供一種通用型；各種各樣射頻和微波應用的寬帶寬解決方案。

?Marki雙向定向耦合器

2023-03-24 16:33:54

雖然Marki?的微帶線定向耦合器是雙向性，而且可以采用50Ω檢測器在兩條路線上檢測功率，但也有很多應用設置非50Ω功率檢測器。對于這類應用，Marki雙定向耦合器用戶可以檢測正向和逆向的功率，而不會因為功率檢測器出現阻抗失諧而減少方向性。

MITEQ低噪音混合器

2023-03-24 16:32:42

MITEQ生產和設計了現階段市場上最普遍的混頻器系列之一，MITEQ標準目錄中含有400多個混頻器，主要用于射頻頻率高達50GHz。MITEQ的肖特基MESFET產品提供商業級和高安全可靠性的密封性混頻器。

WENTEQ精密波導終端WPT系列

2023-03-24 16:29:30

波導終端是波導管通訊系統中必不可少的終端元器件，相似于多吸收的波導終端。主要用于方形、橢圓形波導管。波導終端吸收層選用圓形吸波材料，大幅度提高配對和吸收性能指標。

?MW 波導到同軸過渡RF-Labs

2023-03-23 16:58:11

波導到同軸電纜的轉變作為企業必不可少的能力。RF-Labs?提供連接器形式和方向的選擇，波導直徑的針/插座端口，可選擇標準規范或定制法蘭盤關鍵。

?MCLI定向耦合器寬帶模型SMA（CB 系列）

2023-03-23 16:57:00

MCLI?在無源器件領域的專業技術還拓展到寬帶信號頻率內需求的定向和雙向耦合器，這些耦合器具備低插入損耗、高全局性和低VSWR。

?QPA9942高效放大器QORVO

2023-03-22 16:56:11

QORVO? QPA9942是款高效率、可線性化的功率放大器，主要用于Band42中小型蜂窩無線網絡基礎設施系統。QPA9942選用InGaP/GaAs HBT技術應用，在+28dBm均值輸出功率下提供26%高效率，同時也為寬帶5G數據提供-50dBc的優異DPD線性化ACPR。

?AM232630PA-P2中功率 SSPA 模塊AMCOM

2023-03-22 16:55:06

AMCOM?的AM232630PA-P2是款功率放大器模塊。為通用型技術應用而設計。AM232630PA-P2的頻率范圍為2300MHz至2600MHz。AM232630PA-P2應用+12V開關電源作業，通過使用SMA連接器實現輸入輸出。

ARRA寬帶定向耦合器SMA 型

2023-03-22 16:53:19

定向耦合器是射頻微波和其他微波系統中常用的微波/毫米波組件，適合于信號的隔離、分離和混合，如功率檢測、源輸出功率穩幅、信號源隔離、傳輸和反射的頻偏檢測等。

?DZM040AA二極管檢波器現貨HEROTEK

2023-03-22 16:48:57

HEROTEK的DZM040AA?二極管檢波器主要用作把重疊在高頻率載波通信上的低頻信號檢測出來的元器件，具有很高的檢波功率與優良的頻率特性。

?RADITEK低溫隔離器和環行器0.01-4°k, 4-77°k (1.35 gh z -12 gh z )

2023-03-22 16:45:05

低溫隔離器具備低插入損耗和高隔離度的特點，優化低溫波鏈接設備之間的適配性,進步前、后級設備隔離度，可以用在深空探索、射頻地理、量子計算和無線通訊等領域。

S110-1-R去應力觸體Anritsu

2023-03-21 16:45:37

Anritsu?的S110-1-R提供應力消除，以短路保護免遭溫度變化、沖擊力和震蕩的影響，并在沒有需要焊接技術的情形下與0.38mm管腳實現優質的微波銜接。

?X4C55K1-03S混合耦合器Anaren

2023-03-21 16:44:25

Anaren? X4C55K1-03S是款外型精巧、性能強的3dB混合正交（90度）耦合器，采用有利于使用、有利于制作的新型表面設備封裝。X4C55K1-03S專門為LTE和5G無線通訊頻率段而設計的。

?CHA2595-98F低噪聲放大器UMS

2023-03-20 16:48:52

UMS? CHA2595-98F是種寬帶片式低噪聲放大器，具備最前沿的寬帶、低噪聲和可調式增益值性能。

?CGH40090PP L波段放大器CREE

2023-03-20 16:47:34

Wolfspeed?的CGH40090PP是前所未有的；氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40090PP；從28伏電流電壓軌運轉；提供通用型目標；各種各樣射頻和微波應用領域的寬帶解決方案。

?Aeroflex-API Tech電阻功率分配器

2023-03-20 16:41:35

Aeroflex-API Tech?電阻功率分配器也有多種型號可以選擇，從1:2到1:N合路器/分路器分離處理。通常設計成威爾金森構造，這種用作在特定的設計工作頻段內組成或分配功率。

?10105013定向耦合器KRYTAR

2023-03-20 16:39:53

KRYTAR新推出的耦合器10105013提高了多功能帶狀線設計的選擇，這些設置在1.0至50GHz的寬帶工作頻段內在單一化、緊湊型和輕便式的封裝中展現出優異的耦合。

?52070-007P 0.9mm SuperMini 插頭（公頭）直接焊接SOUTHWEST

2023-03-20 16:38:17

SOUTHWEST西南微波?具備超強SMA(27GHz)、2.92mm(40GHz)、2.40mm(50GHz)和1.85mm(67GHz)和1.0mm(110GHz)的連接器。

?HEROTEK限幅器現貨

2023-03-17 16:37:37

HEROTEK是美國老牌的射頻微波元器件生產商，HEROTEK產品頻率覆蓋DC-75GHz,產品線涵蓋檢波器、放大器、限幅器、PIN開關、信號發生器等。

?MACOM固定衰減器

2023-03-17 16:35:13

MACOM提供用作芯片和電纜線器件的固定衰減器裸片。MACOM固定衰減器具有優異的插入損耗和從直流電到50GHz的平緩衰減。衰減值范圍從0到20dB。

HEROTEK梳狀波發生器現貨

2023-03-16 16:45:53

梳狀波發生器是種形成其輸出信號的多個諧波的信號發生器。頻譜分析儀屏幕上輸出外觀相似于梳齒，因此稱作梳狀波發生器。HEROTEK?梳狀波發生器主要應用于各種各樣微波技術。例如，寬帶同步信號需要由梳狀波發生器形成。

?QPA9940高效放大器QORVO

2023-03-16 16:43:51

QORVO? QPA9940是款高效率、可線性化的功率放大器，主要用于Band40中小型蜂窩無線網絡基礎設施建設系統。QPA9940選用In GaP/GaAs HBT技術應用，在+28dBm均衡輸出功率時提供31%高效率，并且為高達100MHz的信號頻率提供-50dBc的優異DPD線性化ACPR。

RF-LAMBDA氮化鎵晶圓

2023-03-16 16:42:49

RF-LAMBDA?氮化鎵晶圓通常是在外界基板（例如藍寶石）上外延生長的單晶GaN薄層層析，一般板厚小于100μm。與獨立式GaN基板相比較，RF-LAMBDA氮化鎵晶圓僅是元器件生產商中的一種替代解決方案，其技術優勢受限。