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AM030WX-BI-R是一種分立砷化鎵pHEMT，其總柵極寬度為3.0毫米。它是一個陶瓷雙包，最多可運行10次千兆赫BI封裝采用特殊設計的陶瓷封裝，采用嵌入式安裝方式，帶有彎曲（BI-G）或直（BI）引線。封裝底部的法蘭同時用作直流接地、射頻接地和熱通道。此部分符合RoHS。

特征

高達10GHz的高頻操作

增益=14dB，P1dB=33dBm，Eff=46%@4GHz

表面貼裝

有效散熱的底層

應用

無線本地環路

驅動放大器

蜂窩無線電

中繼器

C波段VSAT

雷達