GTRB246608FC-V1高電子遷移率晶體管
發布時間:2024-11-20 16:51:18 瀏覽:342
GTRB246608FC-V1是CREE的一款500瓦(P4dB)的SiC上GaN高電子遷移率晶體管(HEMT),致力于多標準蜂窩狀功率放大器應用需求設計。GTRB246608FC-V1具備高效率和無軸環的熱增強封裝。
產品規格
闡述:高功率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz
最高頻率(MHz):2400
增益(dB):15.7
封裝類別:Earless
特征
典型脈沖CW性能,2400 MHz,48 V,10μs脈沖頻率,10%占空比,組合輸出
P4dB=600 W時的輸出功率
P4dB=60%時的效率
深圳市立維創展科技有限公司授權經銷CREE微波器件,如若需要購CREE產品,請點擊右側客服聯系我們!!!
推薦資訊
深圳市立維創展科技有限公司,是美國THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中國的授權渠道商,其金屬玻璃密封端子,已廣泛應用于航天、軍事、通信等高可靠性領域。
AAT-15-479/1S 是美國 PULSAR Microwave 公司推出的高性能電壓控制衰減器,專為微波電路精確幅度調節設計,具備 0.5 - 2 GHz 頻率范圍、64 分貝衰減范圍、低插入損耗(最大 3.5 dB)及高功率處理能力(高達 +27 dBm)等特性,采用 SMA 連接器,工作溫度范圍 -25℃至 +80℃,在通信、測試測量、雷達系統中可用于精確調控信號強度、適配量程、避免接收機過載及增強回波檢測能力。