?CMPA0060002D射頻放大器CREE
發布時間:2024-12-02 17:14:36 瀏覽:756
CMPA0060002D是一種帶有氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更加優異的性能,包含更高的擊穿場強、更高的飽和電子漂移速度與更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。CMPA0060002D使用分布式(導波)放大器設計思路,能夠在更小的占用面積內實現極寬的帶寬。
特征
?17 dB小信號增益值
?2 W典型PSAT
?額定電壓高達28V
?高擊穿場強
?高溫度使用
?尺寸0.169 x 0.066 x 0.004英寸
應用
?超寬帶放大器
?光纖線驅動器
?測試設備
?EMC放大器驅動器
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