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CMD245C4 是Custom MMIC研發(fā)的一款寬帶（C、X、Ku、K 波段）砷化鎵（GaAs）微波單片集成電路（MMIC）低噪聲系數(shù)射頻/微波放大器（LPNA），使用無(wú)引線表面貼裝（SMT）封裝，CMD245C4主要用于機(jī)載雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高頻檢測(cè)設(shè)備等對(duì)噪聲系數(shù)敏感的領(lǐng)域，其高靈敏度和寬頻帶性能能夠滿足復(fù)雜情況下的信號(hào)放大需求。

核心參數(shù)

頻率范圍：6 GHz 至 18 GHz

增益：18 dB

噪聲系數(shù)：4.5 dB

飽和輸出功率（Psat）：+21 dBm

相位噪聲：-165 dBc/Hz

三階截點(diǎn)（OIP3）：29 dBm

輸入/輸出回波損耗：10 dB / 12 dB

電源電壓：3 V 至 5 V

電流損耗：76 mA

封裝：4.0 mm ×4.0 mm 陶瓷 QFN（無(wú)引線表面貼裝）

關(guān)鍵特性

低噪聲系數(shù)：CMD245C4 在 10 GHz 時(shí)噪聲系數(shù)低至 -165 dBc/Hz（10 kHz 偏移），特別適合對(duì)噪聲系數(shù)敏感的應(yīng)用，如雷達(dá)探測(cè)、電子戰(zhàn)和衛(wèi)星通訊。

寬帶寬覆蓋：適用 C、X、Ku、K 波段（6–18 GHz），可覆蓋多個(gè)頻率段需求，減少系統(tǒng)開(kāi)發(fā)復(fù)雜度。

高動(dòng)態(tài)范圍：增益為 18 dB，OIP3 達(dá) 29 dBm，能有效處理高信號(hào)電平，從而確保低失幀。

低電流損耗：負(fù)載電流僅 76 mA，適用于電源供電或功耗敏感性的應(yīng)用場(chǎng)景。

50 Ω匹配設(shè)計(jì)：無(wú)需外部射頻端口匹配，優(yōu)化電源設(shè)計(jì)，不占用空間和成本。

無(wú)鉛 RoHS 兼容：選用 4x4 SMT 封裝，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，有利于智能化生產(chǎn)。

優(yōu)勢(shì)總結(jié)

性能卓越：低噪聲、低噪聲系數(shù)、高動(dòng)態(tài)范圍，滿足嚴(yán)格射頻需求。

操作靈活性：寬帶寬支持多頻率段應(yīng)用，減少器件替換成本。

便捷性：50 Ω匹配設(shè)計(jì)，優(yōu)化設(shè)計(jì)流程，加速產(chǎn)品上線。

安全可靠性：陶瓷 QFN封裝，適用極端環(huán)境，適用于軍事和太空應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域

國(guó)防軍事與航空航天：雷達(dá)探測(cè)、電子戰(zhàn)、衛(wèi)星通訊。

通訊系統(tǒng)：微波鏈路、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信、測(cè)試與測(cè)量。

科研與工業(yè)：高頻信號(hào)放大、頻譜分析、射頻系統(tǒng)設(shè)備。

Qorvo是美國(guó)微波毫米波領(lǐng)軍企業(yè)，提供高標(biāo)準(zhǔn)的GaN/GaAs產(chǎn)品，2020年收購(gòu)Custom MMIC強(qiáng)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軍工、航空航天、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域（由TriQuint與RFMD合并而成）。深圳市立維創(chuàng)展科技擁有穩(wěn)定的供貨渠道，優(yōu)勢(shì)提供Qorvo 陶瓷封裝IC和裸芯片產(chǎn)品，并大量備有現(xiàn)貨庫(kù)存，歡迎咨詢。