North Hills的穩(wěn)固型航空設(shè)備接口計(jì)算機(jī)(AIC)提供一個(gè)靈活性且可擴(kuò)展的平臺(tái),兼容普遍的數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)通訊。BU-67124W綜合了intel嵌入式計(jì)算系統(tǒng)架構(gòu)一流性能和North Hills高密度多協(xié)議XMC模塊的I/O靈活性,在超小型、可構(gòu)建、穩(wěn)固外殼中提供前所未有的航空設(shè)備連接。
RDKF RDKC-1.7-2.9-80-10W微帶衰減隔離器和循環(huán)器致力于滿足用戶的所有微帶需求。可以根據(jù)不同的確切頻率需求進(jìn)行調(diào)整。規(guī)格尺寸包括FDK和TDK的插入式替換件。
Qorvo的NBB-500級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-500根據(jù)安全可靠的HBT特有MMIC設(shè)計(jì),為小信號(hào)應(yīng)用提供了前所未有的性能參數(shù)。
AMCOM的AM084209XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM084209XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+10dBm至+16dBm。
CHA2362-98F是款寬帶單片低噪聲單片放大器,集成化3個(gè)放大級(jí),能夠產(chǎn)生22dB增益值,相位噪聲為2dB。CHA2362-98F致力于從國(guó)防軍事到商業(yè)服務(wù)通訊系統(tǒng)的普遍應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。
?CREE的600V分立碳化硅(SiC)肖特基二極管使用MPS(并入PiN肖特基)設(shè)計(jì)方案,比傳統(tǒng)肖特基勢(shì)壘二極管更耐用安全可靠。將CREE碳化硅二極管與SiC MOSFET匹配,能在一起選擇時(shí)實(shí)現(xiàn)更高效率和更低的模塊價(jià)格的超強(qiáng)組合。
Anritsu的26/28/29系列同軸負(fù)載的精準(zhǔn)級(jí)終端通常在需要獲取盡量最低量反射的測(cè)量系統(tǒng)中應(yīng)用。其優(yōu)異適配的性能使其特別適合當(dāng)作標(biāo)量網(wǎng)絡(luò)分析儀上的故障位置測(cè)量基準(zhǔn)。
B0322J5050AHF是Anaren的一款薄型超小型平衡到不平衡變壓器,專為下一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)芯片組上的差分輸入輸出區(qū)域需求設(shè)計(jì),B0322J5050AHF選用簡(jiǎn)單易用的表面貼裝封裝,包含GSM頻率。
Aeroflex-Weinschel可編程衰減器具有多種配置,廣泛適用于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)測(cè)試數(shù)據(jù)。Aeroflex-Weinschel可編程衰減器有固態(tài)、機(jī)械繼電器和邊緣線設(shè)計(jì),最高8個(gè)通道。
Qorvo的NBB-402級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-402具有50Ω增益塊根據(jù)安全可靠的HBT特有MMIC設(shè)計(jì),為小信號(hào)領(lǐng)域提供了前所未有的性能。
AMCOM的AM041201XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM041201XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+4dBm至+10dBm。
CHA6682-98F是款作業(yè)在24至27.5GHz之間的三級(jí)高功率放大器,具備5W的飽和輸出功率和32%的功率額外效率。CHA6682-98F包含有功率檢測(cè)器。
?CREE提供多種1000V碳化硅(SiC)MOSFET,專門針對(duì)新能源充電樁系統(tǒng)等迅速功率開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化;LED電源;及其可再生資源系統(tǒng)。1000V碳化硅MOSFET根據(jù)以及具有低導(dǎo)通電阻的特殊器件去解決諸多功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn);
KRYTAR的110046020/ 110046020K提高了多功能帶狀線設(shè)計(jì)的選擇,應(yīng)用在10.0至46.0 GHz的寬帶頻率范圍內(nèi)具有卓越的耦合性能,并且封裝緊湊便攜。此外,110046020/ 110046020K提供卓越的性能等級(jí),包含20 dB、±1.0 dB的標(biāo)稱耦合(相對(duì)于輸出)和±0.5的頻率精確度。
NOVA射頻微波提供2.000~5.800GHz插入式循環(huán)器,主要用于連接通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)應(yīng)用,國(guó)防軍事應(yīng)用,蜂窩網(wǎng)絡(luò)和無(wú)線行業(yè)市場(chǎng)。
因?yàn)?3029-003J連接器0.9mm超微型接口的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)不適用,因此53029-003J的兩個(gè)0.9 mm SuperMini 9 mil管腳連接器與1.85 mm Jack(F)至0.9 mm Plug(M)適配器背對(duì)背檢測(cè)。要獲取具有適配器的單獨(dú)連接器的VSWR。
Qorvo的NBB-400級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-400具有50Ω增益塊根據(jù)值得信賴的HBT特有MMIC設(shè)計(jì),為小信號(hào)應(yīng)用提供了前所未有的性能指標(biāo)。
AMCOM的AM020313XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM020313XD-P3頻率范圍在220-300MHz之間,LO驅(qū)動(dòng)電平范圍在+14dBm至+20dBm。
?CHA2441-QAG是款K波段低噪聲放大器,從單獨(dú)偏置電源+3.3V具備25.5dB增益值,相位噪聲為2.5dB。所有的有源器件都是板上自偏置的。
CREE擴(kuò)展了其在碳化硅(SiC)技術(shù)中的主導(dǎo)地位,低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離(~8mm)。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運(yùn)用最新的MOSFET
?MAAM-011305-DIE是款寬帶高動(dòng)態(tài)范圍單級(jí)MMIC LNA。寬度為0.795 x 0.66 mm。MAAM-011305-DIE放大器內(nèi)部適配,不需要任何外部適配模塊,就可以提供平整的增益和8 GHz的優(yōu)良回波損耗。只需隔直電容器和帶旁路電容的射頻扼流線圈。
NBB-312級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案,能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-312根據(jù)安全可靠的HBT特有MMIC設(shè)計(jì),為小信號(hào)應(yīng)用提供了前所未有的性能指標(biāo)。
RF Lambda的RFLUPA0030G10A是L,S波段超寬頻功率放大器,適合用在各式各樣無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)和國(guó)防安全應(yīng)用領(lǐng)域,RFLUPA0030G10A頻率范圍在0.02GHz至3GHz。
Qorvo的CMD244K5是款寬帶GaAs MMIC分布式驅(qū)動(dòng)放大器,頻率范圍從DC到20 GHz,使用無(wú)導(dǎo)線表面貼裝封裝形式。
?AMCOM的AM012514XD-P3是款高IP3無(wú)源雙平衡混頻器,AM012514XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+14dBm至+20dBm。
CHA2190-99F是款兩級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2190-99F使用標(biāo)準(zhǔn)的pHEMT制造技術(shù):柵極尺寸為0.25μm,根據(jù)基板上的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)。CHA2190-99F以芯片形式提供。
CREE的1700 V碳化硅(SiC)MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)相對(duì)較小、高效率的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與硅基處理方式相比較,CREE碳化硅技術(shù)能夠提高系統(tǒng)功率密度、較高的工作頻率、較小的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、更冷門的的模塊、較小的模塊規(guī)格(電感器、電容器、濾波器和變壓器)和整體成本效率。
RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測(cè)器通常用于同軸系統(tǒng),在10 MHz至18.0 GHz的頻率范圍內(nèi)檢測(cè)高至100 mW的相應(yīng)微波功率。
Q20HA-9500R是款寬帶雙向耦合器,具有高專一性和高功率處理效率。Q20HA-9500R定向耦合器具有低插入損耗、高功率性能、高專一性、小封裝中的平整耦合電路。
MECA提供的IS-3.000隔離器選用SMA母連接器,均值額定功率為30瓦,工作頻段為2.000-4.000 GHz。提供適合IP 67標(biāo)準(zhǔn)的隔離器。