MACOM?供給普遍的脈沖和線性RF功率放大器產品-分立配備,模塊和貨盤,設計用于DC至6 GHz的兼職頻率。MACOM的高功率產品很適用民用航空電子,通訊,網絡,雷達以及產業,科學和醫療應用。
Qorvo?的寬帶散布式放大器可供給同類最佳的性能,很適用需求寬帶寬的高動靜局限的種種寬帶軟件。Qorvo器件具有使人印象深入的DC-67 GHz頻譜涵蓋局限(從UHF到X和K波段再到V波段),使它們成為環節任務寬帶RF /微波設計的構成片面。Qorvo的許多產品都接納裸芯片和外表貼裝QFN封裝。
?RF-LAMBDA是一家通過ISO 9001:2008認證和國際知名公司專業研發和制造高品質的微波產品。RF-LAMBDA為無線基礎設施、衛星通訊、醫療、消費品和國防部分研發產品。RF-LAMBDA產品系列包括無源器件(環行器,隔離器,衰減器,耦合器,功分器,分離器/組合器),PIN二極管開關,變頻器,移相器,限幅器,放大器。
AMCOM?是美國半導體公司中最具有全世界技術領先的微波設計公司,AMCOM的GaN寬禁帶半導體具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等好處,可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣前提的新要求。
MA24340A ?功率傳感器經獨特設計,能夠在 10 MHz 到 40 GHz 的頻率范圍內提供快速準確的平均功率測量,其動態范圍超過 90 dB。該傳感器采用高性能數字處理技術,可實現每秒 >2,100 次連續功率讀數和每秒 >5,600 次緩沖讀數的測量速度。
LTC2207IUK#PBF?為105Msps/80Msps,采樣16位A/D轉換器,設計用于數字化高達700MHz輸入頻率的高頻、寬動態范圍信號。利用PGA前端可以優化ADC的輸入范圍。 LTC2207IUK#PBF非常適合高要求的通信應用,其交流性能包括78.2dB的噪聲下限和100dB的無雜散動態范圍(SFDR)。80fsRMS的超低抖動允許對高輸入頻率進行欠采樣,具有出色的噪聲性能。最大直流規格包括±4LSB INL,±1LSB DNL(無缺失代碼)。一個獨立的輸出電源允許CMOS輸出擺幅范圍從0.5V到3.6V。
SOUTHWEST西南微波公司成立于1981年,為毫米波和高功率射頻軟件供應非常高性能的互連產品。SOUTHWEST 產品以高性能、嚴緊為技術優勢,廣泛軟件于測試、軍工等項目。如各類毫米持續器、線纜等。
MACOM?是世界上唯一的RF上GaN-on-Si技術供給商。MACOM供給普遍的陸續波(CW)硅上GaN射頻功率放大器產品,這些產品是設計用于DC至6 GHz的別離器件和模塊。MACOM的高功率陸續波和線性產品很適用民用航空電子,通訊,網絡,長脈沖雷達以及產業,科學和醫療軟件。MACOM的產品組合行使了MACOM超越60年的傳統,即便用GaN-on-Si技術供給尺度和定制處理計劃,以滿足客戶很苛刻的需求。MACOM的硅基氮化鎵產品以0.5微米HEMT工藝的分立和集成放大器供給,在寬兼職帶寬內涵功率,增益,增益平整度,效率和耐用性方面均闡揚出出色的RF性能。
?AMCOM?的GaAs MMIC PA中文名稱是砷化鎵MMIC功率放大器,由于GaAs具有十分高的電子遷移率,可用于制備高速或微波半導體器件。還能用于建造耐高溫、抗輻照或低噪聲器件,以及近紅外發光和激光器件,也用于作光電陰極質料等。更慌張的是它將成為今后開展超高速半導體集成電路的根底質料。例如:4G期間手機端PA的工藝以CMOS和GaAs為主、SOI和SiGe為輔,GaAs質料的電子遷移率是Si的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對Si器件具有高頻、高速的性能,在5G智能手機PA中將大批應用。
QORVO功率放大器產品的組合提供了rf射頻行業領域中最廣泛性的元器件選用。QORVO功率放大器能夠適用于各種各樣不同的應用場景,如移動設備、 無線網絡連接、 網絡基礎設施和國防安全和航空航天。這類組件展現了在應用Qorvo操作過程中廣泛的功能性。
?RF-LAMBDA具備高性能主、被元器件的尺度產品和定制服務,產品行業包含無線通訊、衛星通訊、醫療服務和國防安全等。RF-LAMBDA被元器件有環形器,隔離器,衰減器,,負載終端,耦合器,功分器,過濾器,雙工器和適配器,RF-LAMBDA主元器件有射頻開關,低噪聲放大器,功率放大器,數字衰減器,移相器,檢波器,限幅器和轉換器。
GaAs MMIC放大器指的是應用砷化鎵半導體材料制造實現的,它在600℃以內,能在空氣中保持穩定存在,而且不被非氧化性的酸浸蝕。因此GaAs MMIC放大器始終向著高頻率、大功率和低噪聲的方面快速發展。因為GaAs原材料的導熱系數僅有Si的四分之一,其半導體元器件的可靠性就變得十分明顯。GaAs MMIC放大器具備微小化,重量輕,成本低和高可靠性等優勢。
RF-LAMBDA是全世界技術領先的射頻微波與毫米波通信元器件制造廠商,RF-LAMBDA作為RF射頻寬帶處理方案的領航者,RF-Lambda供應廣泛性的高端RF模塊,控制模塊和操作系統-從RF固態功率放大器和低噪音放大器到RF電源開關,移相器和衰減器。依靠RF-LAMBDA的RF控制系統設計中的微處理器和FPGA作用,RF-LAMBDA的產品被普遍用作高功率觀測站,相控陣操作系統和射頻寬帶干擾操作系統。應用領域包括:無線基礎設施建設,RF檢測設備,國家防御和航空航天。
通常情況下,Custom MMIC最先進性的RF/微波射頻系統設計和子組件在規格上受限,而且規定比目前技術應用更強的線性度。Custom MMIC致力于供應GaN和GaAs RF功率放大器(PA),滿足需要RF/微波射頻系統的這類極高功率和高線性需求量,與此同時供應具備寬帶寬的中小型裸片和表面貼裝(SMT)MMIC封裝。
AMCOM在調頻發射機的前級電源電路中,調配振蕩電路所造成的射頻信號額定功率較小,還要通過一系列的擴大一緩解級、中間擴大級(驅動級放大器)、末級功率放大電路級,獲取充足的射頻輸出功率以后,才可以饋送到無線天線上輻射出去。
?SOUTHWEST的SuperSMA是一款超高性能的現場服務SMA連接器。SuperSMA充分利用了基本的PTFE介電端口(真正的SMA),并具備低VSWR模式(在27GHz標準內自由工作)和低于-100dB的RF泄漏。SOUTHWEST厚的外導體壁具備優異的耐用性,可保證 反復搭配的可靠性,進而提升了組件的性能指標。SuperSMA端口符合MIL-STD-348。
ANDON為美國知名CCD插座連接器生產商,工廠工藝流程符合ISO9001標準,其產品應用在PCB板上,更方便CCD傳感器的拔插和升級更換,同時完美地保護昂貴的CCD產品不被損壞。
CustomMMIC在需用跨寬帶寬的高動態范圍的寬范圍應用領域中,CustomMMIC的寬帶分布式放大器在產品質量和安全可靠性方面表現出色,甚至是超出了預期。這類分布式MMIC放大器中有幾個提供正增益斜率和單個正電壓,因此無需大型,復雜且昂貴的偏置和配對電源電路。其它功能包括:DC-50GHz(從UHF到X和K,再到V頻段)覆蓋面積,50歐姆配對設計和高動態范圍。
SOUTHWEST西南微波公司成立于1981年,為毫米波和高功率射頻應用領域提供最高的使用性能的互連產品。SOUTHWEST產品以高性能、高精密為技術應用優勢,廣泛運用于測試、航天軍工等項目。如各種類型毫米連接器、線纜等。
AMCOM?射頻微波主要供應的產品是分離組件FET、MMIC功率放大器、帶有射頻和直流連接器的高功率放大器模塊等。全部產品由AMCOM自主研發設計,也能夠根據客戶的需要定制。AMCOM的產品頻率從10MHz-12GHz,功率從100mW-20W,增益20-30dB,效率30-40%。目前,AMCOM射頻微波已研發國內合流的砷化鎵、氮化鎵等系列化的產品。
AMCOM標準SSPA模塊充分利用同相合成的工作原理,使高功率放大器的最大輸出功率大幅提高,現階段,C波段可達3KW,Ku波段也達到了1KW。AMCOM標準SSPA模塊只要有一個功能模塊出現故障,也僅使輸出最大功率下降幾個分貝,不至于造成信號的中止。
AMCOM?成立于1996年,是美國的一家射頻元器件設計生產公司,AM-COM公司提供電力場效應晶體管,MMIC功率放大器,以及大功率放大器模塊與射頻無源器件。 AMCOM緊湊型SSPA模塊的頻率在0.01-40GHZ之間,SSPA全稱solid-state power amplifier (固態功率放大器),運用范圍較廣泛,分別使用在雷達、固定微波回程、儀器和測量、軍事和航空航天等領域,該系列緊湊型SSPA模塊具有緊湊、重量輕、尺寸和尺寸小等特點。
Custom MMIC?開發了高性能的GaAs和GaNRF/微波射頻超低噪聲放大器(LNA),以實現對低偏置電流值,低偏置電壓,極低噪聲系數,高增益和寬帶工作中的嚴苛設計要求。Custom MMIC低噪聲放大器的工作頻率為2至45GHz(L至Q頻率段),并選用超小型裸片和小型QFN封裝。GaAs和GaN MMIC LNA的微波射頻頻率噪聲系數低至0.6dB,主要用于高靈敏度的SATCOM和雷達應用領域,并致力于具有高適應能力的RF/微波射頻軍事和航空無線通信設計而設計。LNA的其它基本功能包括單正偏置電源和20dBm的輸入功率處理。
?AMCOM射頻微波為全世界客戶提供高功率晶體管、MMIC功率放大器等芯片與模塊產品。AMCOM產品,以寬帶放大器芯片為特色,極佳的線性曲線,持續性穩定,廣泛使用于衛星通信、雷達、航空、儀表、基站等領域。
?X3C19P1-04S?是一個低剖面,高性能4dB定向耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DC、WCDMA、LTE和PC應用而設計的。X3C19P1-04S是專為高功率放大器中的非二進制拆分和合并而設計的,例如與3dB一起使用以獲得3路,以及需要低插入損耗的其他信號分配應用。它可用于高達70瓦的大功率應用。
X3C19F1-20S?是一個低剖面,高性能20dB定向耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應用而設計。X3C19F1-20S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊幅相平衡的應用而設計的。它可以用于25瓦以下的大功率應用。
X3C19P1-05S是一個低剖面,高性能5dB定向耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DC、WCDMA、LTE和PC應用而設計的。X3C19P1-05S是專為高功率放大器中的非二進制拆分和合并而設計的,例如,與3dB一起使用以獲得3路,以及其他需要低插入損耗的信號分配應用。它可用于高達70瓦的大功率應用。
X3C19E2-20S?是一個低剖面,高性能20dB定向耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為DCS、PCS、WCDMA和LTE波段應用而設計的。X3C19E2-20S是專為功率和頻率檢測以及VSWR監測而設計的,在那里需要緊密控制耦合和低插入損耗。它可用于高達225瓦的大功率應用。
X3C09P2-30S?是一個低剖面,高性能30dB定向耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應用而設計。X3C09P2-30S專為功率和頻率檢測以及VSWR監測而設計,在這種情況下,需要緊密控制耦合和低插入損耗。它可用于高達225瓦的大功率應用。
X3C09P1-05S?是一個低剖面,高性能5dB定向耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為安培應用而設計的。X3C09P1-05S專為高功率放大器中的非二進制拆分和合并而設計,例如與3dB一起使用以獲得3路,以及需要低插入損耗的其他信號分配應用。它可用于高達70瓦的大功率應用。