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?AM041201XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-19 17:06:00

AMCOM的AM041201XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM041201XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+4dBm至+10dBm。

?CHA6682-98F高功率放大器

2024-12-18 17:19:58

CHA6682-98F是款作業(yè)在24至27.5GHz之間的三級(jí)高功率放大器，具備5W的飽和輸出功率和32%的功率額外效率。CHA6682-98F包含有功率檢測(cè)器。

?1000V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-18 17:18:27

?CREE提供多種1000V碳化硅（SiC）MOSFET，專門針對(duì)新能源充電樁系統(tǒng)等迅速功率開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化；LED電源；及其可再生資源系統(tǒng)。1000V碳化硅MOSFET根據(jù)以及具有低導(dǎo)通電阻的特殊器件去解決諸多功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)；

?110046020/ 110046020K定向耦合器KRYTAR

2024-12-17 17:17:13

KRYTAR的110046020/ 110046020K提高了多功能帶狀線設(shè)計(jì)的選擇，應(yīng)用在10.0至46.0 GHz的寬帶頻率范圍內(nèi)具有卓越的耦合性能，并且封裝緊湊便攜。此外，110046020/ 110046020K提供卓越的性能等級(jí)，包含20 dB、±1.0 dB的標(biāo)稱耦合（相對(duì)于輸出）和±0.5的頻率精確度。

?2.000~5.800GHz插入式循環(huán)器NOVA

2024-12-17 17:16:06

NOVA射頻微波提供2.000~5.800GHz插入式循環(huán)器，主要用于連接通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)應(yīng)用，國(guó)防軍事應(yīng)用，蜂窩網(wǎng)絡(luò)和無線行業(yè)市場(chǎng)。

?53029-003J 0.9mm超微型接口連接器

2024-12-17 17:14:53

因?yàn)?3029-003J連接器0.9mm超微型接口的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)不適用，因此53029-003J的兩個(gè)0.9 mm SuperMini 9 mil管腳連接器與1.85 mm Jack（F）至0.9 mm Plug（M）適配器背對(duì)背檢測(cè)。要獲取具有適配器的單獨(dú)連接器的VSWR。

?NBB-400級(jí)聯(lián)寬帶GaAs MMIC放大器DC-8GHz

2024-12-17 17:13:52

Qorvo的NBB-400級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-400具有50Ω增益塊根據(jù)值得信賴的HBT特有MMIC設(shè)計(jì)，為小信號(hào)應(yīng)用提供了前所未有的性能指標(biāo)。

?AM020313XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-17 17:12:36

AMCOM的AM020313XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM020313XD-P3頻率范圍在220-300MHz之間，LO驅(qū)動(dòng)電平范圍在+14dBm至+20dBm。

CHA2441-QAG K波段低噪聲放大器

2024-12-17 11:24:42

?CHA2441-QAG是款K波段低噪聲放大器，從單獨(dú)偏置電源+3.3V具備25.5dB增益值，相位噪聲為2.5dB。所有的有源器件都是板上自偏置的。

900 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-17 11:21:28

CREE擴(kuò)展了其在碳化硅（SiC）技術(shù)中的主導(dǎo)地位，低電感分立封裝具備寬沿面和漏極與源極之間的空隙距離（~8mm）。900 V分立碳化硅MOSFET靈活運(yùn)用最新的MOSFET

?MAAM-011305-DIE寬帶低噪聲增益模塊

2024-12-13 17:14:12

?MAAM-011305-DIE是款寬帶高動(dòng)態(tài)范圍單級(jí)MMIC LNA。寬度為0.795 x 0.66 mm。MAAM-011305-DIE放大器內(nèi)部適配，不需要任何外部適配模塊，就可以提供平整的增益和8 GHz的優(yōu)良回波損耗。只需隔直電容器和帶旁路電容的射頻扼流線圈。

?NBB-312級(jí)聯(lián)寬帶GaAs MMIC放大器DC至12GHz

2024-12-13 17:12:21

NBB-312級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器需求。NBB-312根據(jù)安全可靠的HBT特有MMIC設(shè)計(jì)，為小信號(hào)應(yīng)用提供了前所未有的性能指標(biāo)。

?RFLUPA0030G10A L,S波段超寬帶功率放大器

2024-12-13 17:10:07

RF Lambda的RFLUPA0030G10A是L,S波段超寬頻功率放大器，適合用在各式各樣無線通信網(wǎng)絡(luò)和國(guó)防安全應(yīng)用領(lǐng)域，RFLUPA0030G10A頻率范圍在0.02GHz至3GHz。

?CMD244K5 L,S,C,X,Ku和K波段分布式驅(qū)動(dòng)放大器

2024-12-13 17:07:39

Qorvo的CMD244K5是款寬帶GaAs MMIC分布式驅(qū)動(dòng)放大器，頻率范圍從DC到20 GHz，使用無導(dǎo)線表面貼裝封裝形式。

AM012514XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-13 17:06:24

?AMCOM的AM012514XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM012514XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+14dBm至+20dBm。

?CHA2190-99F K,Ka波段低噪聲放大器

2024-12-12 17:27:45

CHA2190-99F是款兩級(jí)自偏置寬帶單片低噪聲放大器。CHA2190-99F使用標(biāo)準(zhǔn)的pHEMT制造技術(shù)：柵極尺寸為0.25μm，根據(jù)基板上的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)。CHA2190-99F以芯片形式提供。

?1700 V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-12 17:26:18

CREE的1700 V碳化硅（SiC）MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)相對(duì)較小、高效率的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與硅基處理方式相比較，CREE碳化硅技術(shù)能夠提高系統(tǒng)功率密度、較高的工作頻率、較小的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、更冷門的的模塊、較小的模塊規(guī)格（電感器、電容器、濾波器和變壓器）和整體成本效率。

?RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測(cè)器

2024-12-11 17:24:10

RLC Electronics寬帶肖特基和隧道二極管探測(cè)器通常用于同軸系統(tǒng)，在10 MHz至18.0 GHz的頻率范圍內(nèi)檢測(cè)高至100 mW的相應(yīng)微波功率。

?Q20HA-9500R寬帶雙向耦合器

2024-12-11 17:22:03

Q20HA-9500R是款寬帶雙向耦合器，具有高專一性和高功率處理效率。Q20HA-9500R定向耦合器具有低插入損耗、高功率性能、高專一性、小封裝中的平整耦合電路。

?IS-3.000射頻隔離器2.000-4.000 GHz

2024-12-11 17:20:19

MECA提供的IS-3.000隔離器選用SMA母連接器，均值額定功率為30瓦，工作頻段為2.000-4.000 GHz。提供適合IP 67標(biāo)準(zhǔn)的隔離器。

?NBB-310級(jí)聯(lián)寬帶GaAs MMIC放大器

2024-12-11 17:15:58

Qorvo的NBB-310級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。

?AM012509XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-11 17:14:48

AMCOM的AM012509XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM012509XD-P3的LO驅(qū)動(dòng)電平范圍在+10dBm至+16dBm。

?CHA2193-99F K,Ka波段低噪聲放大器

2024-12-10 17:10:14

CHA2193-99F是款三級(jí)低噪聲放大器。芯片的背面是射頻和直流接地。有利于優(yōu)化安裝過程。CHA2193-99F致力于從國(guó)防軍事到商業(yè)服務(wù)通訊系統(tǒng)的普遍使用需求設(shè)計(jì)。

1200V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-10 17:09:20

CREE的1200 V碳化硅（SiC）MOSFET系列對(duì)應(yīng)高功率應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，如應(yīng)急電源（UPS）、電機(jī)控制系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源電路、儲(chǔ)能設(shè)備、新能源電動(dòng)車快充、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等。

?2413帶通濾波器KR Electronics

2024-12-09 17:08:22

KR 2413是一個(gè)400Hz帶通濾波器。通常適用于PCB封裝，其他通帶頻率均可用。

?SemiGen電感器線圈

2024-12-09 17:07:33

SemiGen的電感線圈通常是在石英基板上采用薄膜工藝制造的。高精密光刻技術(shù)和非化學(xué)蝕刻技術(shù)提供整潔的邊緣，以保障電磁線圈之間的均勻度。

?AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲VCO

2024-12-09 17:06:20

NEL Frequency Controls的AN-x3A低G靈敏度的超低相位噪聲特別適合在具有震動(dòng)或加速度的條件下需要具備超低相位噪聲的壓控晶體振蕩器（VCXO）的應(yīng)用。

?NBB-300級(jí)聯(lián)寬帶GaAs MMIC放大器

2024-12-09 17:04:33

Qorvo的NBB-300級(jí)聯(lián)寬帶InGaP/GaAs MMIC放大器是種成本更低、性能卓越的解決方案，能夠滿足通用型射頻和微波放大器使用需求。

?AM011714XD-P3無源雙平衡混頻器

2024-12-09 17:02:47

AMCOM的AM011714XD-P3是款高IP3無源雙平衡混頻器，AM011714XD-P3 LO驅(qū)動(dòng)電平范圍包括+14dBm至+20dBm。

?CHA5350-99F Ku,K波段中功率放大器

2024-12-06 17:04:07

CHA5350-99F是一種四級(jí)單片MPA，通常是在1dB增益值壓縮下具備26.5dBm的輸出功率，與34dBm的高IP3輸出相關(guān)。